Право Беларуси. Новости и документы


Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 N 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. N 15/137"

(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление

Документы на NewsBY.org

Содержание

Стр. 48

¦              ¦мод более 80 Вт; или                      ¦               ¦
¦              ¦з) длину волны излучения более 1550 нм и  ¦               ¦
¦              ¦имеющие любое из следующего:              ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 100     ¦               ¦
¦              ¦мДж и пиковую мощность более 1 Вт; или    ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность более 1 Вт      ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦   6.1.5.3    ¦Перестраиваемые лазеры, имеющие любую из  ¦9013 20 000 0  ¦
¦              ¦следующих характеристик:                  ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦              ¦Примечание.                               ¦               ¦
¦              ¦Пункт 6.1.5.3 включает титано-сапфировые  ¦               ¦
¦              ¦(Ti:Al2O3), тулий-YAG (Tm:YAG), тулий-    ¦               ¦
¦              ¦YSGG (Tm:YSGG) лазеры, лазеры на          ¦               ¦
¦              ¦александрите (Cr:BeAl2O4), лазеры на      ¦               ¦
¦              ¦центрах окраски, лазеры на красителях и   ¦               ¦
¦              ¦жидкостные лазеры.                        ¦               ¦
¦              ¦                                          ¦               ¦
¦              ¦а) длину волны излучения менее 600 нм и   ¦               ¦
¦              ¦имеющие любое из следующего:              ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 50 мДж  ¦               ¦
¦              ¦и пиковую мощность более 1 Вт; или        ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность или мощность    ¦               ¦
¦              ¦непрерывного излучения более 1 Вт;        ¦               ¦
¦              ¦б) длину волны излучения 600 нм или       ¦               ¦
¦              ¦более, но не превышающую 1400 нм, и       ¦               ¦
¦              ¦имеющие любое из следующего:              ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 1 Дж и  ¦               ¦
¦              ¦пиковую мощность более 20 Вт; или         ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность или мощность    ¦               ¦
¦              ¦непрерывного излучения более 20 Вт; или   ¦               ¦
¦              ¦в) длину волны излучения более 1400 нм и  ¦               ¦
¦              ¦имеющие любое из следующего:              ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 50 мДж  ¦               ¦
¦              ¦и пиковую мощность более 1 Вт; или        ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность или мощность    ¦               ¦
¦              ¦непрерывного излучения более 1 Вт         ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦   6.1.5.4    ¦Другие лазеры, не контролируемые по       ¦               ¦
¦              ¦пунктам 6.1.5.1 - 6.1.5.3:                ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.4.1   ¦Полупроводниковые лазеры:                 ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦              ¦Примечания:                               ¦               ¦
¦              ¦1. Пункт 6.1.5.4.1 включает               ¦               ¦
¦              ¦полупроводниковые лазеры, имеющие         ¦               ¦
¦              ¦оптические волоконные выходы.             ¦               ¦
¦              ¦2. Контрольный статус полупроводниковых   ¦               ¦
¦              ¦лазеров, специально разработанных для     ¦               ¦
¦              ¦другого оборудования, определяется по     ¦               ¦
¦              ¦контрольному статусу этого другого        ¦               ¦
¦              ¦оборудования                              ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.5.4.1.1  ¦Одиночные полупроводниковые лазеры,       ¦8541 40 100 0  ¦
¦              ¦работающие в режиме генерации одной       ¦               ¦
¦              ¦поперечной моды, имеющие любую из         ¦               ¦
¦              ¦следующих характеристик:                  ¦               ¦
¦              ¦а) длину волны, равную или меньше 1510    ¦               ¦
¦              ¦нм, и среднюю выходную мощность или       ¦               ¦
¦              ¦мощность непрерывного излучения более     ¦               ¦
¦              ¦1,5 Вт; или                               ¦               ¦
¦              ¦б) длину волны более 1510 нм и среднюю    ¦               ¦
¦              ¦выходную мощность или мощность            ¦               ¦
¦              ¦непрерывного излучения более 500 мВт      ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.5.4.1.2  ¦Одиночные многомодовые (по поперечной     ¦8541 40 100 0  ¦
¦              ¦моде) полупроводниковые лазеры, имеющие   ¦               ¦
¦              ¦любую из следующих характеристик:         ¦               ¦
¦              ¦а) длину волны менее 1400 нм и среднюю    ¦               ¦
¦              ¦выходную мощность или мощность            ¦               ¦
¦              ¦непрерывного излучения более 10 Вт;       ¦               ¦
¦              ¦б) длину волны, равную или больше 1400    ¦               ¦
¦              ¦нм, но менее 1900 нм, и среднюю выходную  ¦               ¦
¦              ¦мощность или мощность непрерывного        ¦               ¦
¦              ¦излучения более 2,5 Вт; или               ¦               ¦
¦              ¦в) длину волны, равную или больше 1900    ¦               ¦
¦              ¦нм, и среднюю выходную мощность или       ¦               ¦
¦              ¦мощность непрерывного излучения более 1   ¦               ¦
¦              ¦Вт                                        ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.5.4.1.3  ¦Отдельные линейки полупроводниковых       ¦8541 40 100 0  ¦
¦              ¦лазеров, имеющие любую из следующих       ¦               ¦
¦              ¦характеристик:                            ¦               ¦
¦              ¦а) длину волны менее 1400 нм и среднюю    ¦               ¦
¦              ¦выходную мощность или мощность            ¦               ¦
¦              ¦непрерывного излучения более 80 Вт;       ¦               ¦
¦              ¦б) длину волны, равную или больше 1400    ¦               ¦
¦              ¦нм, но менее 1900 нм, и среднюю выходную  ¦               ¦
¦              ¦мощность или мощность непрерывного        ¦               ¦
¦              ¦излучения более 25 Вт; или                ¦               ¦
¦              ¦в) длину волны, равную или больше 1900    ¦               ¦
¦              ¦нм, и среднюю выходную мощность или       ¦               ¦
¦              ¦мощность непрерывного излучения более 10  ¦               ¦
¦              ¦Вт                                        ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.5.4.1.4  ¦Решетки полупроводниковых лазеров,        ¦8541 40 100 0  ¦
¦              ¦содержащие, по крайней мере, одну         ¦               ¦
¦              ¦линейку, контролируемую по пункту         ¦               ¦
¦              ¦6.1.5.4.1.3                               ¦               ¦
¦              ¦                                          ¦               ¦
¦              ¦Технические примечания:                   ¦               ¦
¦              ¦1. Полупроводниковые лазеры обычно        ¦               ¦
¦              ¦называются лазерными диодами.             ¦               ¦
¦              ¦2. Линейка состоит из многочисленных      ¦               ¦
¦              ¦полупроводниковых лазерных излучателей,   ¦               ¦
¦              ¦выполненных в виде кристалла (чипа)       ¦               ¦
¦              ¦таким образом, чтобы центры испускаемых   ¦               ¦
¦              ¦лучей находились на параллельных          ¦               ¦
¦              ¦траекториях.                              ¦               ¦
¦              ¦3. Решетки полупроводниковых лазеров      ¦               ¦
¦              ¦получают путем размещения линеек друг     ¦               ¦
¦              ¦над другом или иным способом их сборки    ¦               ¦
¦              ¦так, чтобы центры испускаемых лучей       ¦               ¦
¦              ¦находились на параллельных траекториях    ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.4.2   ¦Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие   ¦9013 20 000 0  ¦
¦              ¦любую из следующих характеристик:         ¦               ¦
¦              ¦а) выходную энергию в импульсе более 2    ¦               ¦
¦              ¦Дж и пиковую мощность более 5 кВт; или    ¦               ¦
¦              ¦б) среднюю выходную мощность или          ¦               ¦
¦              ¦мощность непрерывного излучения более 5   ¦               ¦
¦              ¦кВт                                       ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.4.3   ¦Лазеры на диоксиде углерода (CO2),        ¦9013 20 000 0  ¦
¦              ¦имеющие любую из следующих                ¦               ¦
¦              ¦характеристик:                            ¦               ¦
¦              ¦а) мощность непрерывного излучения более  ¦               ¦
¦              ¦15 кВт;                                   ¦               ¦
¦              ¦б) длительность импульсов в импульсном    ¦               ¦
¦              ¦режиме более 10 мкс и имеющие любое из    ¦               ¦
¦              ¦следующего:                               ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность более 10 кВт;   ¦               ¦
¦              ¦или пиковую мощность более 100 кВт; или   ¦               ¦
¦              ¦в) длительность импульсов в импульсном    ¦               ¦
¦              ¦режиме, равную или меньше 10 мкс, и       ¦               ¦
¦              ¦имеющие любое из следующего:              ¦               ¦
¦              ¦энергию в импульсе более 5 Дж; или        ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность более 2,5 кВт   ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.4.4   ¦Эксимерные лазеры, имеющие любую из       ¦9013 20 000 0  ¦
¦              ¦следующих характеристик:                  ¦               ¦
¦              ¦а) длину волны излучения, не превышающую  ¦               ¦
¦              ¦150 нм, и имеющие любое из следующего:    ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 50      ¦               ¦
¦              ¦мДж; или среднюю выходную мощность более  ¦               ¦
¦              ¦1 Вт;                                     ¦               ¦
¦              ¦б) длину волны излучения более 150 нм,    ¦               ¦
¦              ¦но не превышающую 190 нм, и имеющие       ¦               ¦
¦              ¦любое из следующего:                      ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 1,5     ¦               ¦
¦              ¦Дж; или среднюю выходную мощность более   ¦               ¦
¦              ¦120 Вт;                                   ¦               ¦
¦              ¦в) длину волны излучения более 190 нм,    ¦               ¦
¦              ¦но не превышающую 360 нм, и имеющие       ¦               ¦
¦              ¦любое из следующего:                      ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 10 Дж;  ¦               ¦
¦              ¦или                                       ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность более 500 Вт;   ¦               ¦
¦              ¦или                                       ¦               ¦
¦              ¦г) длину волны излучения более 360 нм и   ¦               ¦
¦              ¦имеющие любое из следующего:              ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 1,5     ¦               ¦
¦              ¦Дж; или                                   ¦               ¦
¦              ¦среднюю выходную мощность более 30 Вт     ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦              ¦Особое примечание.                        ¦               ¦
¦              ¦Для эксимерных лазеров, специально        ¦               ¦
¦              ¦разработанных для литографического        ¦               ¦
¦              ¦оборудования, см. пункт 3.2.1             ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.4.5   ¦Химические лазеры:                        ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.5.4.5.1  ¦Лазеры на фториде водорода (HF)           ¦9013 20 000 0  ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.5.4.5.2  ¦Лазеры на фториде дейтерия (DF)           ¦9013 20 000 0  ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.5.4.5.3  ¦Переходные лазеры:                        ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦6.1.5.4.5.3.1 ¦Кислородно-йодные (O2-I) лазеры           ¦9013 20 000 0  ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦6.1.5.4.5.3.2 ¦Фторид дейтерия-диоксид-углеродные        ¦9013 20 000 0  ¦
¦              ¦(DF-CO2) лазеры                           ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.4.6   ¦Одноимпульсные лазеры на неодимовом       ¦9013 20 000 0  ¦
¦              ¦стекле, имеющие любую из следующих        ¦               ¦
¦              ¦характеристик:                            ¦               ¦
¦              ¦а) длительность импульса, не превышающую  ¦               ¦
¦              ¦1 мкс, и выходную энергию в импульсе      ¦               ¦
¦              ¦более 50 Дж; или                          ¦               ¦
¦              ¦б) длительность импульса более 1 мкс и    ¦               ¦
¦              ¦выходную энергию в импульсе более 100 Дж  ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦              ¦Примечание.                               ¦               ¦
¦              ¦Термин "одноимпульсные" относится к       ¦               ¦
¦              ¦лазерам, которые или испускают одиночный  ¦               ¦
¦              ¦импульс, или имеют временной интервал     ¦               ¦
¦              ¦между импульсами более одной минуты       ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦   6.1.5.5    ¦Следующие компоненты:                     ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.5.1   ¦Зеркала, охлаждаемые либо активным        ¦9001 90 000 0; ¦
¦              ¦методом, либо методом тепловой трубы      ¦9002 90 000 0  ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦              ¦Техническое примечание.                   ¦               ¦
¦              ¦Активным охлаждением является метод       ¦               ¦
¦              ¦охлаждения оптических компонентов, в      ¦               ¦
¦              ¦котором используется течение жидкости по  ¦               ¦
¦              ¦субповерхности (расположенной обычно      ¦               ¦
¦              ¦менее чем в 1 мм под оптической           ¦               ¦
¦              ¦поверхностью) оптического компонента для  ¦               ¦
¦              ¦отвода тепла от оптики                    ¦               ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦  6.1.5.5.2   ¦Оптические зеркала или прозрачные или     ¦9001 90 000 0; ¦
¦              ¦частично прозрачные оптические или        ¦9002 90 000 0  ¦
Право. Новости и документы | Заканадаўства Рэспублікі Беларусь
 
Партнеры



Рейтинг@Mail.ru

Copyright © 2007-2014. При полном или частичном использовании материалов ссылка на News-newsby-org.narod.ru обязательна.