|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 N 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. N 15/137"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 42 ¦ ¦определения скорости лучше (меньше) 1% ¦9015 80 990 0 ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 6.1.1.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦эхолотам, ограниченным любым из ¦ ¦ ¦ ¦следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) измерением глубины; ¦ ¦ ¦ ¦б) измерением расстояния от погруженных ¦ ¦ ¦ ¦под воду или затопленных объектов; или ¦ ¦ ¦ ¦в) промысловой разведкой. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 6.1.1.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦системам, специально разработанным для ¦ ¦ ¦ ¦установки на надводные суда ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2 ¦Оптические датчики, приборы и компоненты ¦ ¦ ¦ ¦для них ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1 ¦Приемники оптического излучения: ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.1 ¦Следующие твердотельные приемники ¦ ¦ ¦ ¦оптического излучения, пригодные для ¦ ¦ ¦ ¦применения в космосе: ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.1.1 ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦излучения, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦ ¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦ ¦ ¦от 10 нм до 300 нм; и ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦б) чувствительность менее 0,1% ¦ ¦ ¦ ¦относительно максимального значения для ¦ ¦ ¦ ¦длин волн свыше 400 нм ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.1.2 ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦излучения, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦ ¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦ ¦ ¦от 900 нм до 1200 нм; и ¦ ¦ ¦ ¦б) постоянную времени отклика приемника ¦ ¦ ¦ ¦95 нс или менее ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении твердотельных приемников ¦ ¦ ¦ ¦оптического излучения, указанных в ¦ ¦ ¦ ¦пунктах 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2, см. ¦ ¦ ¦ ¦также пункты 6.1.2.1.1.1 и 6.1.2.1.1.2 ¦ ¦ ¦ ¦раздела 2 ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.1.3 ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦излучения, имеющие максимум спектральной ¦ ¦ ¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦ ¦ ¦от 1200 нм до 30000 нм ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении твердотельных приемников ¦ ¦ ¦ ¦оптического излучения, указанных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 6.1.2.1.1.3, см. также пункт ¦ ¦ ¦ ¦6.1.2.1.1.3 раздела 2 и пункт 6.1.2.1 ¦ ¦ ¦ ¦раздела 3 ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.2 ¦Следующие электронно-оптические ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи (ЭОП) и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без ¦ ¦ ¦ ¦формирования изображений, имеющим ¦ ¦ ¦ ¦электронно-чувствительное устройство в ¦ ¦ ¦ ¦вакууме, ограниченным исключительно ¦ ¦ ¦ ¦любым из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) единственным металлическим анодом; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) металлическими анодами с межцентровым ¦ ¦ ¦ ¦расстоянием более 500 мкм ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦"Зарядовое умножение" является формой ¦ ¦ ¦ ¦электронного усиления изображения и ¦ ¦ ¦ ¦характеризуется созданием носителей ¦ ¦ ¦ ¦зарядов в результате процесса ударной ¦ ¦ ¦ ¦ионизации. ¦ ¦ ¦ ¦Приемниками оптического излучения с ¦ ¦ ¦ ¦зарядовым умножением могут быть ¦ ¦ ¦ ¦электронно-оптические преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦твердотельные приемники оптического ¦ ¦ ¦ ¦излучения или фокальные матричные ¦ ¦ ¦ ¦приемники ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.2.1 ¦Электронно-оптические преобразователи, ¦8540 20 800 0 ¦ ¦ ¦имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦ ¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦ ¦ ¦от 400 нм до 1050 нм; ¦ ¦ ¦ ¦б) электронное усиление изображения, ¦ ¦ ¦ ¦использующее любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦1) микроканальную пластину с расстоянием ¦ ¦ ¦ ¦между центрами каналов (межцентровым ¦ ¦ ¦ ¦расстоянием) 12 мкм или менее; или ¦ ¦ ¦ ¦2) электронный чувствительный элемент с ¦ ¦ ¦ ¦шагом небинированных пикселей 500 мкм ¦ ¦ ¦ ¦или менее, специально разработанный или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный для достижения ¦ ¦ ¦ ¦зарядового умножения иначе, чем в ¦ ¦ ¦ ¦микроканальной пластине; и ¦ ¦ ¦ ¦в) любые из следующих фотокатодов: ¦ ¦ ¦ ¦фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные ¦ ¦ ¦ ¦фотокатоды с интегральной ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью более 350 мкА/лм; ¦ ¦ ¦ ¦GaAs или GaInAs фотокатоды; или другие ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковые фотокатоды на основе ¦ ¦ ¦ ¦соединений III - V с максимальной ¦ ¦ ¦ ¦спектральной чувствительностью более 10 ¦ ¦ ¦ ¦мА/Вт ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.2.2 ¦Электронно-оптические преобразователи, ¦8540 20 800 0 ¦ ¦ ¦имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦ ¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦ ¦ ¦от 1050 нм до 1800 нм; ¦ ¦ ¦ ¦б) электронное усиление изображения, ¦ ¦ ¦ ¦использующее любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦1) микроканальную пластину с расстоянием ¦ ¦ ¦ ¦между центрами каналов (межцентровым ¦ ¦ ¦ ¦расстоянием) 12 мкм или менее; или ¦ ¦ ¦ ¦2) электронно-чувствительный элемент с ¦ ¦ ¦ ¦шагом небинированных пикселей 500 мкм ¦ ¦ ¦ ¦или менее, специально разработанный или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный для достижения ¦ ¦ ¦ ¦зарядового умножения иначе, чем в ¦ ¦ ¦ ¦микроканальной пластине; и ¦ ¦ ¦ ¦в) полупроводниковые фотокатоды на ¦ ¦ ¦ ¦основе соединений III - V (например, ¦ ¦ ¦ ¦GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте ¦ ¦ ¦ ¦переноса электронов ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "в" пункта 6.1.2.1.2.2 не ¦ ¦ ¦ ¦применяется к полупроводниковым ¦ ¦ ¦ ¦фотокатодам с максимальной спектральной ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 15 мА/Вт или менее ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении электронно-оптических ¦ ¦ ¦ ¦преобразователей, указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2, см. также ¦ ¦ ¦ ¦пункты 6.1.2.1.2.1 и 6.1.2.1.2.2 раздела 2¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.2.3 ¦Нижеперечисленные специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные компоненты ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦6.1.2.1.2.3.1 ¦Микроканальные пластины с расстоянием ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦между центрами каналов (межцентровым ¦ ¦ ¦ ¦расстоянием) 12 мкм или менее ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦6.1.2.1.2.3.2 ¦Электронный чувствительный элемент с ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦шагом небинированных пикселей 500 мкм ¦ ¦ ¦ ¦или менее, специально разработанный или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный для достижения ¦ ¦ ¦ ¦зарядового умножения иначе, чем в ¦ ¦ ¦ ¦микроканальной пластине ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦6.1.2.1.2.3.3 ¦Полупроводниковые фотокатоды на ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦соединениях III - V (например, GaAs или ¦ ¦ ¦ ¦GaInAs) и фотокатоды на эффекте переноса ¦ ¦ ¦ ¦электронов ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 6.1.2.1.2.3.3 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковым фотокатодам, ¦ ¦ ¦ ¦разработанным для достижения любого из ¦ ¦ ¦ ¦нижеприведенных значений максимальной ¦ ¦ ¦ ¦спектральной чувствительности: ¦ ¦ ¦ ¦а) 10 мА/Вт или менее при максимуме ¦ ¦ ¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 ¦ ¦ ¦ ¦нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) 15 мА/Вт или менее при максимуме ¦ ¦ ¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 ¦ ¦ ¦ ¦нм ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.3 ¦Следующие фокальные матричные приемники, ¦ ¦ ¦ ¦непригодные для применения в космосе ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Линейные или двухмерные многоэлементные ¦ ¦ ¦ ¦матричные приемники оптического ¦ ¦ ¦ ¦излучения определяются фокальными ¦ ¦ ¦ ¦матричными приемниками ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.3.1 ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦ ¦ ¦а) отдельные элементы с максимумом ¦ ¦ ¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 ¦ ¦ ¦ ¦нм; и ¦ ¦ ¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦постоянную времени отклика приемника ¦ ¦ ¦ ¦менее 0,5 нс; или являющиеся специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанными или модифицированными для ¦ ¦ ¦ ¦достижения зарядового умножения и ¦ ¦ ¦ ¦имеющие максимальную спектральную ¦ ¦ ¦ ¦чувствительность, превышающую 10 мА/Вт ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 6.1.2.1.3.2 ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦ ¦ ¦а) отдельные элементы с максимумом ¦ ¦ ¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 ¦ ¦ ¦ ¦нм; и ¦ ¦  |  |
|
|
|