|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 N 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. N 15/137"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 32 ¦ ¦формирующие выходные частоты с управлением по¦ ¦ ¦ ¦параметрам точности, кратковременной и ¦ ¦ ¦ ¦долговременной стабильности на основе или с ¦ ¦ ¦ ¦помощью внутреннего задающего эталонного ¦ ¦ ¦ ¦генератора и имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную синтезируемую частоту выше ¦ ¦ ¦ ¦31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для создания длительности ¦ ¦ ¦ ¦импульса менее 100 нс; ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную синтезируемую частоту выше ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) время переключения с одной выбранной ¦ ¦ ¦ ¦частоты на другую, определенное любым из ¦ ¦ ¦ ¦следующего: менее 10 нс; менее 100 мкс для ¦ ¦ ¦ ¦любого изменения частоты, превышающего 1,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, в пределах диапазона синтезированных ¦ ¦ ¦ ¦частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц; менее 250 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 550 МГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 10,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; менее 500 ¦ ¦ ¦ ¦мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 43,5 ГГц; или менее 1 мс в ¦ ¦ ¦ ¦пределах диапазона синтезированных частот, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 43,5 ГГц; или ¦ ¦ ¦ ¦г) фазовый шум одной боковой полосы лучше - ¦ ¦ ¦ ¦(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по ¦ ¦ ¦ ¦шкале С шумомера) / Гц, где F - смещение от ¦ ¦ ¦ ¦рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в¦ ¦ ¦ ¦МГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.2.4 генераторы ¦ ¦ ¦ ¦сигналов синтезированных частот включают в ¦ ¦ ¦ ¦себя генераторы импульсов произвольной формы ¦ ¦ ¦ ¦и генераторы функций. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 3.1.2.4 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура, в которой выходная частота ¦ ¦ ¦ ¦создается либо путем сложения или вычитания ¦ ¦ ¦ ¦частот с двух или более кварцевых ¦ ¦ ¦ ¦генераторов, либо путем сложения или ¦ ¦ ¦ ¦вычитания с последующим умножением ¦ ¦ ¦ ¦результирующей частоты. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Генераторы импульсов произвольной формы и ¦ ¦ ¦ ¦генераторы функций обычно определяются ¦ ¦ ¦ ¦частотой выборки (например, Гвыб./с), которая¦ ¦ ¦ ¦преобразовывается в радиочастотную область ¦ ¦ ¦ ¦посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, ¦ ¦ ¦ ¦1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет ¦ ¦ ¦ ¦возможность прямого вывода 500 МГц или при ¦ ¦ ¦ ¦использовании выборки с запасом по частоте ¦ ¦ ¦ ¦дискретизации максимальная возможность ¦ ¦ ¦ ¦прямого вывода пропорционально ниже ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.5 ¦Схемные анализаторы (панорамные измерители ¦9030 40 000 0 ¦ ¦ ¦полных сопротивлений; измерители амплитуды, ¦ ¦ ¦ ¦фазы и групповой задержки двух сигналов ¦ ¦ ¦ ¦относительно опорного сигнала) с максимальной¦ ¦ ¦ ¦рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.6 ¦Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все ¦8517 69 390 0 ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) способные одновременно измерять амплитуду ¦ ¦ ¦ ¦и фазу ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7 ¦Атомные эталоны частоты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7.1 ¦Пригодные для применения в космосе ¦8543 20 000 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7.2 ¦Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦долговременную стабильность меньше (лучше) ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦1 x 10 в месяц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении атомных эталонов частоты, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пункте 3.1.2.7.2, см. также пункт¦ ¦ ¦ ¦3.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7.3 ¦Рубидиевые эталоны, непригодные для ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦применения в космосе и имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) долговременную стабильность меньше (лучше)¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦1 x 10 в месяц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.3 ¦Терморегулирующие системы охлаждения ¦8419 89 989 0; ¦ ¦ ¦диспергированной жидкостью, использующие ¦8424 89 000 9; ¦ ¦ ¦оборудование с замкнутым контуром для ¦8479 89 970 9 ¦ ¦ ¦перемещения и регенерации жидкости в ¦ ¦ ¦ ¦герметичной камере, в которой жидкий ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрик распыляется на электронные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты при помощи специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных распыляющих сопел, применяемых ¦ ¦ ¦ ¦для поддержания температуры электронных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов в пределах их рабочего диапазона,¦ ¦ ¦ ¦а также специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2 ¦Испытательное, контрольное и производственное¦ ¦ ¦ ¦оборудование ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1 ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦материалов и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и оснастка для них: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1 ¦Оборудование для эпитаксиального выращивания:¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.1 ¦Оборудование, обеспечивающее производство ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦слоя из любого материала, отличного от ¦ ¦ ¦ ¦кремния, с отклонением равномерности толщины ¦ ¦ ¦ ¦менее +/-2,5% на расстоянии 75 мм или более ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.2 ¦Установки (реакторы) для химического ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦осаждения из паровой фазы металлоорганических¦ ¦ ¦ ¦соединений, специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦выращивания кристаллов полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦соединений с использованием материалов, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в ¦ ¦ ¦ ¦качестве исходных. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении оборудования, указанного в пункте¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.3 ¦Оборудование для молекулярно-эпитаксиального ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦выращивания с использованием газообразных или¦ ¦ ¦ ¦твердых источников ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.2 ¦Оборудование, предназначенное для ионной ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦имплантации, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) ¦ ¦ ¦ ¦более 1 МэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированное и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированное для работы с энергией пучка ¦ ¦ ¦ ¦(ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) имеет возможность непосредственного ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦ ¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока¦ ¦ ¦ ¦пучка 45 мА или более для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации кислорода в ¦ ¦ ¦ ¦нагретую подложку полупроводникового ¦ ¦ ¦ ¦материала ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3 ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦ ¦ ¦ ¦плазменного травления: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦ ¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦ ¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦ ¦ ¦диаметре ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦ ¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦ ¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦ ¦ ¦диаметре ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4 ¦Оборудование химического осаждения из паровой¦8419 89 300 0; ¦ ¦ ¦фазы с применением плазменного разряда, ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦ускоряющего процесс: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦ ¦ ¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в¦ ¦ ¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦ ¦ ¦производителя или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦ ¦ ¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.5 ¦Автоматически загружаемые многокамерные ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦системы с центральной загрузкой ¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦полупроводниковых пластин (подложек), имеющие¦8479 50 000 0; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8486 20 900 2; ¦ ¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин¦8486 20 900 3 ¦ ¦ ¦(подложек), к которым присоединяется более ¦ ¦ ¦ ¦двух единиц оборудования для обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для интегрированной ¦ ¦ ¦ ¦системы последовательной многопозиционной ¦ ¦ ¦ ¦обработки пластин (подложек) в вакууме. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦  |  |
|
|
|