|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 N 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. N 15/137"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 33 ¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦автоматические робототехнические системы ¦ ¦ ¦ ¦управления загрузкой пластин (подложек), не ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для работы в вакууме ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6 ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.1 ¦Оборудование для обработки пластин с ¦8443 39 290 0 ¦ ¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦ ¦ ¦совмещением и экспозицией (непосредственно на¦ ¦ ¦ ¦пластине) или сканированием (сканер), имеющее¦ ¦ ¦ ¦любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны короче 245 ¦ ¦ ¦ ¦нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным разрешаемым размером элемента 180¦ ¦ ¦ ¦нм и менее. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР)¦ ¦ ¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: МРР = ¦ ¦ ¦ ¦(длина волны источника света в нанометрах) x ¦ ¦ ¦ ¦(К-фактор) / (числовая апертура), где ¦ ¦ ¦ ¦К-фактор = 0,45 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.2 ¦Литографическое оборудование для печати, ¦8443 39; ¦ ¦ ¦способное создавать элементы размером 180 нм ¦8486 20 900 ¦ ¦ ¦или менее. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.6.2 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) инструментальные средства для ¦ ¦ ¦ ¦микроконтактной литографии; ¦ ¦ ¦ ¦б) инструментальные средства для горячего ¦ ¦ ¦ ¦тиснения; ¦ ¦ ¦ ¦в) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для нанопечати; ¦ ¦ ¦ ¦г) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для поэтапной и мгновенной печати ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.3 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦изготовления шаблонов или производства ¦8486 20 900 3; ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦8486 40 000 1 ¦ ¦ ¦методов непосредственного формирования ¦ ¦ ¦ ¦рисунка, имеющее все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) использующее отклоняемый сфокусированный ¦ ¦ ¦ ¦электронный, ионный или лазерный пучок; и ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦размер пятна менее 0,2 мкм; возможность ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка с размером элементов ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мкм; или точность совмещения слоев ¦ ¦ ¦ ¦лучше +/-0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.7 ¦Маски и промежуточные шаблоны, разработанные ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦для производства интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.8 ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем. ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.1.8 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для изготовления запоминающих ¦ ¦ ¦ ¦устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.9 ¦Литографические шаблоны для печати, ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦ ¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов, и специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦этого компоненты и приспособления: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2.1 ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦9031 80 380 0 ¦ ¦ ¦приборов на частотах выше 31,8 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2.2 ¦Для испытания микроволновых интегральных ¦9030; ¦ ¦ ¦схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 ¦9031 20 000 0; ¦ ¦ ¦ ¦9031 80 380 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3 ¦Материалы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1 ¦Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), ¦ ¦ ¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦ ¦ ¦последовательно наращенными эпитаксиальными ¦ ¦ ¦ ¦слоями любого из следующих материалов: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.1 ¦Кремний ¦3818 00 100 0; ¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.2 ¦Германий ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.3 ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.4 ¦Соединения III - V на основе галлия или индия¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2 ¦Материалы резистов, а также подложки, ¦ ¦ ¦ ¦покрытые контролируемыми резистами: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.1 ¦Позитивные резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦полупроводниковой литографии, специально ¦ ¦ ¦ ¦приспособленные (оптимизированные) для ¦ ¦ ¦ ¦использования на длине волны менее 245 нм ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.2 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании электронными¦ ¦ ¦ ¦или ионными пучками, с чувствительностью 0,01¦ ¦ ¦ ¦мкКл/кв.мм или лучше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.3 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновскими лучами, с чувствительностью ¦ ¦ ¦ ¦2,5 мДж/кв.мм или лучше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.4 ¦Все резисты, оптимизированные под технологии ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦формирования рисунка, включая силилированные ¦ ¦ ¦ ¦резисты. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Технология силилирования - это процесс, ¦ ¦ ¦ ¦включающий окисление поверхности резиста, для¦ ¦ ¦ ¦повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦ ¦ ¦проявления ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.5 ¦Все резисты, разработанные или ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦приспособленные для применения с ¦ ¦ ¦ ¦оборудованием для литографической печати, ¦ ¦ ¦ ¦указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие ¦ ¦ ¦ ¦термический или светоотверждающий способ ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3 ¦Следующие органо-неорганические соединения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3.1 ¦Металлоорганические соединения алюминия, ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦галлия или индия с чистотой металлической ¦ ¦ ¦ ¦основы более 99,999% ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3.2 ¦Органические соединения мышьяка, сурьмы и ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦фосфорорганические соединения с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦основы неорганического элемента более 99,999%¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются только ¦ ¦ ¦ ¦соединения, металлический, частично ¦ ¦ ¦ ¦металлический или неметаллический элемент в ¦ ¦ ¦ ¦которых непосредственно связан с углеродом ¦ ¦ ¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.4 ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие ¦2848 00 000 0; ¦ ¦ ¦чистоту более 99,999%, даже будучи ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦растворенными в инертных газах или водороде. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие 20% и более молей инертных газов ¦ ¦ ¦ ¦или водорода ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.5 ¦Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или ¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, ¦ ¦ ¦ ¦були, а также другие преформы из указанных ¦ ¦ ¦ ¦материалов, имеющие удельное сопротивление ¦ ¦ ¦ ¦более 10 000 Ом·см при 20 град. C ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.6 ¦Подложки, определенные в пункте 3.3.5, ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦содержащие по крайней мере один ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC),¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) ¦ ¦ ¦ ¦или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.1 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки или производства¦ ¦ ¦ ¦оборудования, контролируемого по пунктам ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.2 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для применения в любом ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующем оборудовании: ¦ ¦ ¦ ¦а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - ¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.6; или ¦ ¦ ¦ ¦б) контролируемом по пункту 3.2.2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.3 ¦Физически обоснованное программное ¦ ¦ ¦ ¦обеспечение моделирования, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки процессов ¦ ¦ ¦ ¦литографии, травления или осаждения с целью ¦ ¦ ¦ ¦воплощения маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦ ¦ ¦топографические рисунки на проводниках, ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриках или полупроводниках. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Под термином "физически обоснованное" в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.4.3 понимается использование ¦ ¦ ¦ ¦вычислений для определения последовательности¦ ¦ ¦ ¦физических факторов и результатов ¦ ¦ ¦ ¦воздействия, основанных на физических ¦ ¦ ¦ ¦свойствах (например, температура, давление, ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент диффузии и полупроводниковые ¦ ¦ ¦ ¦свойства материалов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Библиотеки, проектные атрибуты или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующие данные для проектирования ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем рассматриваются как технология ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.4 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пункту 3.1.3 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+  |  |
|
|
|