|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 N 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. N 15/137"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 28 ¦ ¦оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или ¦ ¦ ¦ ¦заявитель не может определить контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус другого оборудования, этот статус ¦ ¦ ¦ ¦определяется контрольным статусом ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11 ¦ ¦ ¦ ¦Если интегральная схема является кремниевой ¦ ¦ ¦ ¦микросхемой микроЭВМ или микросхемой ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, указанными в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда ¦ ¦ ¦ ¦(данных) 8 бит или менее, то ее статус ¦ ¦ ¦ ¦контроля должен определяться в соответствии с¦ ¦ ¦ ¦пунктом 3.1.1.1.3 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1 ¦Электронные компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1 ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.1 ¦Интегральные схемы, спроектированные или ¦8542 ¦ ¦ ¦относящиеся к классу радиационно стойких, ¦ ¦ ¦ ¦выдерживающие любое из следующих воздействий:¦ ¦ ¦ ¦ 3 5 ¦ ¦ ¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦рад] или выше; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 8 ¦ ¦ ¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/c [5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦рад/с] или выше; или ¦ ¦ ¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов ¦ ¦ ¦ ¦ 13 ¦ ¦ ¦ ¦(соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦н/кв.см или более по кремнию или его ¦ ¦ ¦ ¦эквивалент для других материалов. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦ ¦ ¦ ¦к структуре металл - диэлектрик - ¦ ¦ ¦ ¦полупроводник (МДП-структуре) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.2 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦изготовленные из полупроводниковых соединений¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы памяти, аналого-цифровые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, цифроаналоговые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, электронно-оптические или ¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, программируемые пользователем ¦ ¦ ¦ ¦логические устройства, заказные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы, функции которых неизвестны или не ¦ ¦ ¦ ¦известно, распространяется ли статус контроля¦ ¦ ¦ ¦на аппаратуру, в которой будут использоваться¦ ¦ ¦ ¦эти интегральные схемы, процессоры быстрого ¦ ¦ ¦ ¦преобразования Фурье, электрически ¦ ¦ ¦ ¦перепрограммируемые постоянные запоминающие ¦ ¦ ¦ ¦устройства (ЭППЗУ), память с групповой ¦ ¦ ¦ ¦перезаписью или статические запоминающие ¦ ¦ ¦ ¦устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦ ¦ ¦среды выше 398 K (+125 град. C); ¦ ¦ ¦ ¦б) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦ ¦ ¦среды ниже 218 K (-55 град. C); или ¦ ¦ ¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур окружающей среды от 218 K (-55 ¦ ¦ ¦ ¦град. C) до 398 K (+125 град. C). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным¦ ¦ ¦ ¦схемам, используемым для гражданских ¦ ¦ ¦ ¦автомобилей и железнодорожных поездов ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.3 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦соединениях и работающие на тактовой частоте,¦ ¦ ¦ ¦превышающей 40 МГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и ¦ ¦ ¦ ¦цифровые сопроцессоры ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.4 ¦Интегральные схемы памяти, изготовленные на ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединениях ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦ ¦8542 39 900 9 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.5 ¦Следующие интегральные схемы для аналого- ¦8542 31 900 3; ¦ ¦ ¦цифровых и цифроаналоговых преобразователей: ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦8542 39 900 5; ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: разрешающую¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦способность 8 бит или более, но менее 10 бит,¦ ¦ ¦ ¦со скоростью на выходе более 500 млн. слов в ¦ ¦ ¦ ¦секунду; разрешающую способность 10 бит или ¦ ¦ ¦ ¦более, но менее 12 бит, со скоростью на ¦ ¦ ¦ ¦выходе более 200 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 12 бит со скоростью ¦ ¦ ¦ ¦на выходе более 105 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 12 бит, но ¦ ¦ ¦ ¦равную или меньше 14 бит, со скоростью на ¦ ¦ ¦ ¦выходе более 10 млн. слов в секунду; или ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 14 бит со ¦ ¦ ¦ ¦скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в ¦ ¦ ¦ ¦секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи с ¦ ¦ ¦ ¦разрешающей способностью 12 бит или более и ¦ ¦ ¦ ¦временем установления сигнала менее 10 нс. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Разрешающая способность n битов ¦ ¦ ¦ ¦ n ¦ ¦ ¦ ¦соответствует 2 уровням квантования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Количество бит в выходном слове ¦ ¦ ¦ ¦соответствует разрешающей способности ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифрового преобразователя. ¦ ¦ ¦ ¦3. Скорость на выходе является максимальной ¦ ¦ ¦ ¦скоростью на выходе преобразователя ¦ ¦ ¦ ¦независимо от структуры или выборки с запасом¦ ¦ ¦ ¦по частоте дискретизации. Поставщики могут ¦ ¦ ¦ ¦также ссылаться на скорость на выходе как на ¦ ¦ ¦ ¦частоту выборки, скорость преобразования или ¦ ¦ ¦ ¦пропускную способность. Ее часто определяют в¦ ¦ ¦ ¦мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в ¦ ¦ ¦ ¦секунду (Мвыб./с). ¦ ¦ ¦ ¦4. Для целей измерения скорости на выходе ¦ ¦ ¦ ¦одно выходное слово в секунду равнозначно ¦ ¦ ¦ ¦одному герцу или одной выборке в секунду ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.6 ¦Электронно-оптические и оптические ¦8542 ¦ ¦ ¦интегральные схемы для обработки сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие одновременно все перечисленные ¦ ¦ ¦ ¦составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) один внутренний светочувствительный ¦ ¦ ¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) световоды ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.7 ¦Программируемые пользователем логические ¦8542 39 900 5 ¦ ¦ ¦устройства, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентное количество задействованных ¦ ¦ ¦ ¦логических элементов более 30000 (в пересчете¦ ¦ ¦ ¦на элементы с двумя входами); ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) частоту переключения выше 133 МГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.7 включает: ¦ ¦ ¦ ¦простые программируемые логические устройства¦ ¦ ¦ ¦(ППЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦сложные программируемые логические устройства¦ ¦ ¦ ¦(СПЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем вентильные ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППВМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППЛМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем межсоединения ¦ ¦ ¦ ¦(ППМС). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства также известны как программируемые¦ ¦ ¦ ¦пользователем вентильные или программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем логические матрицы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.8 ¦Интегральные схемы для нейронных сетей ¦8542 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.9 ¦Заказные интегральные схемы, функции которых ¦8542 31 900 3; ¦ ¦ ¦неизвестны или изготовителю не известно, ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦распространяется ли статус контроля на ¦8542 39 900 5; ¦ ¦ ¦аппаратуру, в которой будут использоваться ¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦эти интегральные схемы, с любой из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) более 1000 выводов; ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.10 ¦Цифровые интегральные схемы, иные, нежели ¦8542 ¦ ¦ ¦указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого¦ ¦ ¦ ¦полупроводникового соединения и ¦ ¦ ¦ ¦характеризующиеся любым из нижеследующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентным количеством логических ¦ ¦ ¦ ¦элементов более 3000 (в пересчете на элементы¦ ¦ ¦ ¦с двумя входами); или ¦ ¦ ¦ ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.11 ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦имеющие расчетное время выполнения ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦комплексного N-точечного сложного быстрого ¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦преобразования Фурье менее (N log2 N) / 20 ¦ ¦ ¦ ¦480 мс, где N - количество точек. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени ¦ ¦ ¦ ¦выполнения 500 мкс. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или ¦ ¦ ¦ ¦полуфабрикатов), на которых воспроизведена ¦ ¦ ¦ ¦конкретная функция, оценивается по ¦ ¦ ¦ ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1 ¦ ¦ ¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает ¦ ¦ ¦ ¦следующие типы: монолитные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы; гибридные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы типа "кремний на сапфире";¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы ¦ ¦  |  |
|
|
|