|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 N 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. N 15/137"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 34 ¦ 3.5 ¦Технология ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или материалов, контролируемых ¦ ¦ ¦ ¦по пунктам 3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.5.1 не контролируются технологии ¦ ¦ ¦ ¦для: ¦ ¦ ¦ ¦а) производства оборудования или компонентов,¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦б) разработки или производства интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные ¦ ¦ ¦ ¦признаки: ¦ ¦ ¦ ¦использующие технологии с разрешением 0,5 мкм¦ ¦ ¦ ¦или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦не содержащие многослойных структур. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта "б" примечания многослойные ¦ ¦ ¦ ¦структуры не включают приборов, содержащих ¦ ¦ ¦ ¦максимум три металлических слоя и три слоя ¦ ¦ ¦ ¦поликристаллического кремния ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.2 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню другие, чем те, которые ¦ ¦ ¦ ¦контролируются по пункту 3.5.1, для ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства ядра микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессора, микроЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, имеющих арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство с длиной выборки 32 бит¦ ¦ ¦ ¦или более и любые из нижеприведенных ¦ ¦ ¦ ¦особенностей или характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) блок векторного процессора, ¦ ¦ ¦ ¦предназначенный для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦вычислений с векторами для операций с ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦ ¦ ¦или более массивами) одновременно. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Блок векторного процессора является ¦ ¦ ¦ ¦процессорным элементом со встроенными ¦ ¦ ¦ ¦операторами, которые выполняют многочисленные¦ ¦ ¦ ¦вычисления с векторами для операций с ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦ ¦ ¦или более массивами) одновременно, имеющим, ¦ ¦ ¦ ¦по крайней мере, одно векторное арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство; ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанных для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦64-разрядных или более операций с плавающей ¦ ¦ ¦ ¦запятой, проходящих за цикл; или ¦ ¦ ¦ ¦в) разработанных для выполнения более четырех¦ ¦ ¦ ¦16-разрядных операций умножения с накоплением¦ ¦ ¦ ¦с фиксированной запятой, проходящих за цикл ¦ ¦ ¦ ¦(например, цифровая обработка аналоговой ¦ ¦ ¦ ¦информации, которая была предварительно ¦ ¦ ¦ ¦преобразована в цифровую форму, также ¦ ¦ ¦ ¦известная как цифровая обработка сигналов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "в" пункта 3.5.2 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется технология мультимедийных ¦ ¦ ¦ ¦расширений. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По пункту 3.5.2 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦технологии для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦ядер микропроцессоров, имеющих все ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленные признаки: ¦ ¦ ¦ ¦использующие технологии с разрешением 0,130 ¦ ¦ ¦ ¦мкм или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦содержащие многослойные структуры с пятью или¦ ¦ ¦ ¦менее металлическими слоями. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.5.2 включает технологии для ¦ ¦ ¦ ¦процессоров цифровой обработки сигналов и ¦ ¦ ¦ ¦цифровых матричных процессоров ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.3 ¦Прочие технологии для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких как транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦высокой подвижностью транзисторов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами ¦ ¦ ¦ ¦или приборов на сверхрешетках. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "б" пункта 3.5.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются технологии для транзисторов с ¦ ¦ ¦ ¦высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), ¦ ¦ ¦ ¦работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и ¦ ¦ ¦ ¦биполярных транзисторов на гетероструктуре ¦ ¦ ¦ ¦(ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) сверхпроводящих электронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦г) подложек из алмазных пленок для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦д) подложек из структур кремния на ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрике (КНД-структур) для интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем, в которых диэлектриком является диоксид¦ ¦ ¦ ¦кремния; ¦ ¦ ¦ ¦е) подложек из карбида кремния для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦ж) электронных вакуумных ламп, работающих на ¦ ¦ ¦ ¦частотах 31,8 ГГц или выше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦ Категория 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, задействованные в ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникациях или локальных ¦ ¦ ¦ ¦вычислительных сетях, должны быть также ¦ ¦ ¦ ¦проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 1 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5 (Телекоммуникации). ¦ ¦ ¦ ¦2. Устройства управления, которые ¦ ¦ ¦ ¦непосредственно связывают шины или каналы ¦ ¦ ¦ ¦центральных процессоров, устройства ¦ ¦ ¦ ¦оперативной памяти или дисковые контроллеры, ¦ ¦ ¦ ¦не рассматриваются как телекоммуникационное ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, описанное в части 1 категории 5¦ ¦ ¦ ¦(Телекоммуникации). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанного для коммутации пакетов, ¦ ¦ ¦ ¦следует применять пункт 5.4.1 ¦ ¦ ¦ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, выполняющие функции ¦ ¦ ¦ ¦криптографии, криптоанализа, сертифицируемой ¦ ¦ ¦ ¦многоуровневой защиты информации или ¦ ¦ ¦ ¦сертифицируемые функции изоляции ¦ ¦ ¦ ¦пользователей либо ограничивающие ¦ ¦ ¦ ¦электромагнитную совместимость (ЭМС), должны ¦ ¦ ¦ ¦быть также проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 2 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5 (Защита информации) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1 ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.1 ¦ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и специально разработанные¦ ¦ ¦ ¦для них компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.1.1 ¦Специально разработанные для достижения любой¦8471 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) по техническим условиям пригодные для ¦ ¦ ¦ ¦работы при температуре внешней среды ниже 228¦ ¦ ¦ ¦К (-45 град. C) или выше 358 K (85 град. C). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются ЭВМ, специально созданные для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских автомобилей или железнодорожных ¦ ¦ ¦ ¦поездов; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) радиационно стойкие при превышении любого ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦из следующих требований: общая доза 5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦ 5 6 ¦ ¦ ¦ ¦Гр (Si) [5 x 10 рад]; мощность дозы 5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦Гр (Si) / c [5 x 10 рад/с]; или сбой от ¦ ¦ ¦ ¦ -7 ¦ ¦ ¦ ¦однократного события 10 ошибок/бит/день. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении систем, оборудования и ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, соответствующих требованиям ¦ ¦ ¦ ¦подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт¦ ¦ ¦ ¦4.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.1.2 ¦Имеющие характеристики или выполняющие ¦8471 ¦ ¦ ¦функции, превосходящие пределы, указанные в ¦ ¦ ¦ ¦части 2 категории 5 (Защита информации). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 4.1.1.2 не применяется к ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦связанному с ними оборудованию, когда они ¦ ¦ ¦ ¦вывозятся пользователем для своего ¦ ¦ ¦ ¦индивидуального использования ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2 ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2.1 ¦Спроектированные или модифицированные для ¦8471 60; ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости. ¦8471 70; ¦ ¦ ¦ ¦8471 80 000 0; ¦ ¦ ¦Примечание. ¦8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦Применительно к пункту 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование не считаются ¦ ¦ ¦ ¦спроектированными или модифицированными для ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости, если в них ¦ ¦ ¦ ¦используется любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или исправления ¦ ¦ ¦ ¦ошибок, хранимые в оперативной памяти; ¦ ¦ ¦ ¦б) соединение двух цифровых вычислительных ¦ ¦ ¦ ¦машин такое, что если происходит отказ ¦ ¦ ¦ ¦активного центрального процессора, то ¦ ¦ ¦ ¦холостой зеркальный центральный процессор ¦ ¦ ¦ ¦может продолжить функционирование системы; ¦ ¦ ¦ ¦в) соединение двух центральных процессоров ¦ ¦ ¦ ¦посредством каналов передачи данных или с ¦ ¦ ¦ ¦применением разделяемой памяти, для того ¦ ¦ ¦ ¦чтобы обеспечить одному центральному ¦ ¦ ¦ ¦процессору возможность выполнять некоторую ¦ ¦ ¦ ¦работу, пока не откажет другой центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор; тогда первый центральный процессор¦ ¦  |  |
|
|
|