|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28.12.2007 N 15/137 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 61 ¦ ¦а) несущую частоту выше 6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: частотное ¦ ¦ ¦ ¦подавление боковых лепестков диаграммы ¦ ¦ ¦ ¦направленности более 55 дБ; произведение ¦ ¦ ¦ ¦максимального времени задержки (в мкс) на ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот (в МГц) более 100; ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и ¦ ¦ ¦ ¦дополнительно имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: произведение максимального ¦ ¦ ¦ ¦времени задержки (в мкс) на ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот (в МГц) более 100; дисперсионную ¦ ¦ ¦ ¦задержку более 10 мкс; или частотное ¦ ¦ ¦ ¦подавление боковых лепестков диаграммы ¦ ¦ ¦ ¦направленности более 55 дБ и ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот, превышающую 100 МГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.3.2 ¦Приборы на объемных акустических волнах (то ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦есть приборы для обработки сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦использующие упругие волны в материале), ¦ ¦ ¦ ¦обеспечивающие непосредственную обработку ¦ ¦ ¦ ¦сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.3.3 ¦Акустооптические приборы обработки сигналов, ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦использующие взаимодействие между ¦ ¦ ¦ ¦акустическими волнами (объемными или ¦ ¦ ¦ ¦поверхностными) и световыми волнами, что ¦ ¦ ¦ ¦позволяет непосредственно обрабатывать ¦ ¦ ¦ ¦сигналы или изображения, включая анализ ¦ ¦ ¦ ¦спектра, корреляцию или свертку ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.4 ¦Электронные приборы и схемы, содержащие ¦8540; ¦ ¦ ¦компоненты, изготовленные из сверхпроводящих ¦8541; ¦ ¦ ¦материалов, специально спроектированные для ¦8542; ¦ ¦ ¦работы при температурах ниже критической ¦8543 ¦ ¦ ¦температуры хотя бы одной из сверхпроводящих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих, имеющие хотя бы один из ¦ ¦ ¦ ¦следующих признаков: ¦ ¦ ¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых схем, ¦ ¦ ¦ ¦использующие сверхпроводящие вентили, у ¦ ¦ ¦ ¦которых произведение времени задержки на ¦ ¦ ¦ ¦вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность¦ ¦ ¦ ¦ -14 ¦ ¦ ¦ ¦на вентиль (в ваттах) менее 10 Дж; или ¦ ¦ ¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с ¦ ¦ ¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦ ¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5 ¦Нижеперечисленные мощные энергетические ¦ ¦ ¦ ¦устройства: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.1 ¦Элементы, такие как: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1.1¦Первичные элементы с плотностью энергии, ¦8506 ¦ ¦ ¦превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1.2¦Вторичные элементы с плотностью энергии, ¦8507 ¦ ¦ ¦превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 ¦ ¦ ¦ ¦°C. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность ¦ ¦ ¦ ¦энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением ¦ ¦ ¦ ¦номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦ ¦ ¦номинальную емкость в ампер-часах, поделенным¦ ¦ ¦ ¦на массу в килограммах. Если номинальная ¦ ¦ ¦ ¦емкость не установлена, плотность энергии ¦ ¦ ¦ ¦определяется произведением возведенного в ¦ ¦ ¦ ¦квадрат номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦ ¦ ¦длительность разряда в часах, поделенным на ¦ ¦ ¦ ¦произведение сопротивления нагрузки разряда в¦ ¦ ¦ ¦омах на массу в килограммах. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" ¦ ¦ ¦ ¦определяется как электрохимическое ¦ ¦ ¦ ¦устройство, имеющее положительные и ¦ ¦ ¦ ¦отрицательные электроды и электролит и ¦ ¦ ¦ ¦являющееся источником электроэнергии. Он ¦ ¦ ¦ ¦является основным компоновочным блоком ¦ ¦ ¦ ¦батареи. ¦ ¦ ¦ ¦3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как элемент, который не¦ ¦ ¦ ¦предназначен для заряда каким-либо другим ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии. ¦ ¦ ¦ ¦4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как элемент, который ¦ ¦ ¦ ¦предназначен для заряда каким-либо внешним ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦батареи, включая батареи, содержащие один ¦ ¦ ¦ ¦элемент ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.2 ¦Высокоэнергетические накопительные ¦ ¦ ¦ ¦конденсаторы: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.2.1¦Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц¦8506; ¦ ¦ ¦(одноразрядные конденсаторы), имеющие все ¦8507; ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 25 кДж или более ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.2.2¦Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и ¦8506; ¦ ¦ ¦выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие ¦8507; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦ ¦ ¦ ¦г) количество циклов заряд-разряда 10000 или ¦ ¦ ¦ ¦более ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.3 ¦Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, ¦8504 50; ¦ ¦ ¦специально разработанные на полный заряд или ¦8505 90 100 0 ¦ ¦ ¦разряд менее чем за 1 с, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленные характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренний диаметр токонесущих обмоток ¦ ¦ ¦ ¦более 250 мм; и ¦ ¦ ¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т ¦ ¦ ¦ ¦или суммарную плотность тока в обмотке более ¦ ¦ ¦ ¦300 А/кв.мм. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящие электромагниты или соленоиды,¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для медицинской ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры магниторезонансной томографии ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.5.4 ¦Солнечные элементы, сборки электрически ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦соединенных элементов под защитным стеклом, ¦ ¦ ¦ ¦солнечные панели и солнечные батареи, ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦минимальное значение среднего КПД элементов ¦ ¦ ¦ ¦более 20% при рабочей температуре 301 K (28 ¦ ¦ ¦ ¦°C) под освещением с поверхностной плотностью¦ ¦ ¦ ¦потока излучения 1367 Вт/кв.м при имитации ¦ ¦ ¦ ¦условий нулевой воздушной массы (АМО). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦АМО (нулевая воздушная масса) определяется ¦ ¦ ¦ ¦спектральной плотностью потока солнечного ¦ ¦ ¦ ¦света за пределами атмосферы при расстоянии ¦ ¦ ¦ ¦между Землей и Солнцем, равным одной ¦ ¦ ¦ ¦астрономической единице (АЕ) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.6 ¦Цифровые преобразователи абсолютного углового¦9031 80 320 0; ¦ ¦ ¦положения вращающегося вала, имеющие любую из¦9031 80 340 0 ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от полного ¦ ¦ ¦ ¦диапазона (18 бит); или ¦ ¦ ¦ ¦б) точность лучше +/-2,5 угл. С ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.7 ¦Твердотельные импульсные силовые ¦8536 50 030 0; ¦ ¦ ¦коммутационные тиристорные устройства и ¦8536 50 800 0; ¦ ¦ ¦тиристорные модули, использующие методы ¦8541 30 000 9 ¦ ¦ ¦электрического, оптического или электронно- ¦ ¦ ¦ ¦эмиссионного управления переключением, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и ¦ ¦ ¦ ¦напряжение в закрытом состоянии более 1100 В;¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и ¦ ¦ ¦ ¦все нижеследующее: импульсное напряжение в ¦ ¦ ¦ ¦закрытом состоянии, равное 3000 В или более; ¦ ¦ ¦ ¦и максимальный ток в импульсе (ударный ток) ¦ ¦ ¦ ¦более 3000 А. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль ¦ ¦ ¦ ¦содержит одно или несколько тиристорных ¦ ¦ ¦ ¦устройств. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые ¦ ¦ ¦ ¦триодные тиристоры; электрические триггерные ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры; световые триггерные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦коммутационные тиристоры с интегральными ¦ ¦ ¦ ¦вентилями; вентильные запираемые тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦управляемые тиристоры на МОП-структуре ¦ ¦ ¦ ¦(структуре металл-оксид-полупроводник); ¦ ¦ ¦ ¦солидтроны. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦тиристорные устройства и тиристорные модули, ¦ ¦ ¦ ¦интегрированные в оборудование, разработанное¦ ¦ ¦ ¦для применения на железнодорожном транспорте ¦ ¦ ¦ ¦или в гражданских летательных аппаратах ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2 ¦Нижеперечисленная электронная аппаратура ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1 ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанная измерительная магнитная лента ¦ ¦ ¦ ¦для нее: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.1.1 ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8519 81 540 1; ¦ ¦ ¦показаний аналоговой аппаратуры, включая ¦8519 81 580; ¦ ¦ ¦аппаратуру с возможностью записи цифровых ¦8519 81 900 0; ¦ ¦ ¦сигналов (например, использующие модуль ¦8519 89 900 0; ¦ ¦ ¦цифровой записи высокой плотности), имеющие ¦8521 10 200 0; ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8521 10 950 0 ¦ ¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку, при количестве¦ ¦ ¦ ¦дорожек более 42; или ¦ ¦ ¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦ ¦ ¦временной шкалы, измеренную по методикам ¦ ¦  |  |
|
|
|