|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28.12.2007 N 15/137 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 58 1.3.2. Температура термообработки; 1.3.3. Время термообработки; 1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки: 1.4.1. Параметры пескоструйной обработки: 1.4.1.1. Состав крошки, дроби; 1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби; 1.4.1.3. Скорость крошки; 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки; 1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности; 1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии; 1.5. Параметры маски: 1.5.1. Материал маски; 1.5.2. Расположение маски. 2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице: 2.1. Параметры атмосферы: 2.1.1. Состав; 2.1.2. Давление; 2.2. Время; 2.3. Температура; 2.4. Толщина; 2.5. Коэффициент преломления; 2.6. Контроль состава покрытия. 3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями: 3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1. Состав дроби; 3.1.2. Размер дроби; 3.1.3. Скорость дроби; 3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки; 3.3. Параметры цикла термообработки: 3.3.1. Параметры атмосферы: 3.3.1.1. Состав; 3.3.1.2. Давление; 3.3.2. Температура и время цикла; 3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки. 4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице: 4.1. Критерии для статистической выборки; 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1. Увеличения; 4.2.2. Равномерности толщины покрытия; 4.2.3. Целостности покрытия; 4.2.4. Состава покрытия; 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки; 4.2.6. Микроструктурной однородности; 4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны): 4.3.1. Коэффициент отражения; 4.3.2. Коэффициент пропускания; 4.3.3. Поглощение; 4.3.4. Рассеяние. 5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице: 5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD): 5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия; 5.1.2. Состав газа-носителя; 5.1.3. Температура подложки; 5.1.4. Температура - время - давление циклов; 5.1.5. Управление потоком газа и подложкой; 5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом: 5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия; 5.2.2. Температура подложки; 5.2.3. Состав газа-реагента; 5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала; 5.2.5. Температура - время - давление циклов; 5.2.6. Управление пучком и подложкой; 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1. Длина волны; 5.2.7.2. Плотность мощности; 5.2.7.3. Длительность импульса; 5.2.7.4. Периодичность импульсов; 5.2.7.5. Источник; 5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения: 5.3.1. Состав засыпки и химическая формула; 5.3.2. Состав газа-носителя; 5.3.3. Температура - время - давление циклов; 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав); 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа; 5.4.3. Температура подложки; 5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки; 5.4.5. Дистанция напыления; 5.4.6. Угол напыления; 5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока; 5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой; 5.5. Для осаждения распылением: 5.5.1. Состав мишени и ее изготовление; 5.5.2. Регулировка положения детали и мишени; 5.5.3. Состав газа-реагента; 5.5.4. Напряжение смещения; 5.5.5. Температура - время - давление циклов; 5.5.6. Мощность триода; 5.5.7. Управление деталью (подложкой); 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1. Управление пучком и подложкой; 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.6.4. Температура - время - давление циклов; 5.7. Для ионного осаждения: 5.7.1. Управление пучком и подложкой; 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.7.4. Температура - время - давление циклов; 5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала; 5.7.6. Температура подложки; 5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения. ------------+---------------------------------------------+---------------¬ ¦ N пункта ¦ Наименование <*> ¦Код ТН ВЭД <**>¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦ Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1 ¦Системы, оборудование и компоненты. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования и ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, указанных в пункте 3.1, других, ¦ ¦ ¦ ¦нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11 и которые ¦ ¦ ¦ ¦специально разработаны или имеют те же самые ¦ ¦ ¦ ¦функциональные характеристики, как и другое ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, определяется по контрольному ¦ ¦ ¦ ¦статусу такого оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно¦ ¦ ¦ ¦запрограммированными или разработанными для ¦ ¦ ¦ ¦выполнения функций другого оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦определяется по контрольному статусу такого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или ¦ ¦ ¦ ¦заявитель не может определить контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус другого оборудования, этот статус ¦ ¦ ¦ ¦определяется контрольным статусом ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11 ¦ ¦ ¦ ¦Если интегральная схема является кремниевой ¦ ¦ ¦ ¦микросхемой микроЭВМ или микросхемой ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, указанными в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда ¦ ¦ ¦ ¦(данных) 8 бит или менее, то ее статус ¦ ¦ ¦ ¦контроля должен определяться в соответствии с¦ ¦ ¦ ¦пунктом 3.1.1.1.3 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1 ¦Электронные компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1 ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.1 ¦Интегральные схемы, спроектированные или ¦8542 ¦ ¦ ¦относящиеся к классу радиационно стойких, ¦ ¦ ¦ ¦выдерживающие любое из следующих воздействий:¦ ¦ ¦ ¦ 3 5 ¦ ¦ ¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦рад] или выше; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 8 ¦ ¦ ¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/c [5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦рад/с] или выше; или ¦ ¦ ¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов ¦ ¦ ¦ ¦ 13 ¦ ¦ ¦ ¦(соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦н/кв.см или более по кремнию или его ¦ ¦ ¦ ¦эквивалент для других материалов. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦ ¦ ¦ ¦к структуре металл - диэлектрик - ¦ ¦ ¦ ¦полупроводник (МДП-структуре) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.2 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦изготовленные из полупроводниковых соединений¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы памяти, аналого-цифровые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, цифроаналоговые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, электронно-оптические или ¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, программируемые пользователем ¦ ¦ ¦ ¦логические устройства, заказные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы, функции которых неизвестны или не ¦ ¦ ¦ ¦известно, распространяется ли статус контроля¦ ¦ ¦ ¦на аппаратуру, в которой будут использоваться¦ ¦ ¦ ¦эти интегральные схемы, процессоры быстрого ¦ ¦ ¦ ¦преобразования Фурье, электрически ¦ ¦ ¦ ¦перепрограммируемые постоянные запоминающие ¦ ¦ ¦ ¦устройства (ЭППЗУ), память с групповой ¦ ¦ ¦ ¦перезаписью или статические запоминающие ¦ ¦ ¦ ¦устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ), ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦ ¦ ¦среды выше 398 K (+125 град. C); ¦ ¦ ¦ ¦б) работоспособные при температуре окружающей¦ ¦ ¦ ¦среды ниже 218 K (-55 град. C); или ¦ ¦ ¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур окружающей среды от 218 K (-55 ¦ ¦ ¦ ¦град. C) до 398 K (+125 град. C). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным¦ ¦ ¦ ¦схемам, используемым для гражданских ¦ ¦ ¦ ¦автомобилей и железнодорожных поездов ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.3 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 39 900 9 ¦ ¦ ¦соединениях и работающие на тактовой частоте,¦ ¦ ¦ ¦превышающей 40 МГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и ¦ ¦ ¦ ¦цифровые сопроцессоры ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.1.1.4 ¦Интегральные схемы памяти, изготовленные на ¦8542 31 900 1; ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединениях ¦8542 31 900 9; ¦ ¦ ¦ ¦8542 39 900 9 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+  |  |
|
|
|