|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28.12.2007 N 15/137 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 64 +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.1 ¦Кремний ¦3818 00 100 0; ¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.2 ¦Германий ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.3 ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.4 ¦Соединения III - V на основе галлия или индия¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2 ¦Материалы резистов, а также подложки, ¦ ¦ ¦ ¦покрытые контролируемыми резистами: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.1 ¦Позитивные резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦полупроводниковой литографии, специально ¦ ¦ ¦ ¦приспособленные (оптимизированные) для ¦ ¦ ¦ ¦использования на длине волны менее 245 нм ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.2 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании электронными¦ ¦ ¦ ¦или ионными пучками, с чувствительностью 0,01¦ ¦ ¦ ¦мкКл/кв.мм или лучше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.3 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновскими лучами, с чувствительностью ¦ ¦ ¦ ¦2,5 мДж/кв.мм или лучше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.4 ¦Все резисты, оптимизированные под технологии ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦формирования рисунка, включая силилированные ¦ ¦ ¦ ¦резисты. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Технология силилирования - это процесс, ¦ ¦ ¦ ¦включающий окисление поверхности резиста, для¦ ¦ ¦ ¦повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦ ¦ ¦проявления ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.5 ¦Все резисты, разработанные или ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦приспособленные для применения с ¦ ¦ ¦ ¦оборудованием для литографической печати, ¦ ¦ ¦ ¦указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие ¦ ¦ ¦ ¦термический или светоотверждающий способ ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3 ¦Следующие органо-неорганические соединения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3.1 ¦Металлоорганические соединения алюминия, ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦галлия или индия с чистотой металлической ¦ ¦ ¦ ¦основы более 99,999% ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3.2 ¦Органические соединения мышьяка, сурьмы и ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦фосфорорганические соединения с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦основы неорганического элемента более 99,999%¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются только ¦ ¦ ¦ ¦соединения, металлический, частично ¦ ¦ ¦ ¦металлический или неметаллический элемент в ¦ ¦ ¦ ¦которых непосредственно связан с углеродом ¦ ¦ ¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.4 ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие ¦2848 00 000 0; ¦ ¦ ¦чистоту более 99,999%, даже будучи ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦растворенными в инертных газах или водороде. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие 20% и более молей инертных газов ¦ ¦ ¦ ¦или водорода ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.5 ¦Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или ¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, ¦ ¦ ¦ ¦були, а также другие преформы из указанных ¦ ¦ ¦ ¦материалов, имеющие удельное сопротивление ¦ ¦ ¦ ¦более 10000 Ом·см при 20 град. C ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.6 ¦Подложки, определенные в пункте 3.3.5, ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦содержащие по крайней мере один ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC),¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) ¦ ¦ ¦ ¦или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.1 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки или производства¦ ¦ ¦ ¦оборудования, контролируемого по пунктам ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.2 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для применения в любом ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующем оборудовании: ¦ ¦ ¦ ¦а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - ¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.6; или ¦ ¦ ¦ ¦б) контролируемом по пункту 3.2.2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.3 ¦Физически обоснованное программное ¦ ¦ ¦ ¦обеспечение моделирования, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки процессов ¦ ¦ ¦ ¦литографии, травления или осаждения с целью ¦ ¦ ¦ ¦воплощения маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦ ¦ ¦топографические рисунки на проводниках, ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриках или полупроводниках. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Под термином "физически обоснованное" в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.4.3 понимается использование ¦ ¦ ¦ ¦вычислений для определения последовательности¦ ¦ ¦ ¦физических факторов и результатов ¦ ¦ ¦ ¦воздействия, основанных на физических ¦ ¦ ¦ ¦свойствах (например, температура, давление, ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент диффузии и полупроводниковые ¦ ¦ ¦ ¦свойства материалов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Библиотеки, проектные атрибуты или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующие данные для проектирования ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем рассматриваются как технология ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.4 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пункту 3.1.3 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5 ¦Технология ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или материалов, контролируемых ¦ ¦ ¦ ¦по пунктам 3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.5.1 не контролируются технологии ¦ ¦ ¦ ¦для: ¦ ¦ ¦ ¦а) производства оборудования или компонентов,¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦б) разработки или производства интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные ¦ ¦ ¦ ¦признаки: ¦ ¦ ¦ ¦использующие технологии с разрешением 0,5 мкм¦ ¦ ¦ ¦или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦не содержащие многослойных структур. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта "б" примечания многослойные ¦ ¦ ¦ ¦структуры не включают приборов, содержащих ¦ ¦ ¦ ¦максимум три металлических слоя и три слоя ¦ ¦ ¦ ¦поликристаллического кремния ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.2 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню другие, чем те, которые ¦ ¦ ¦ ¦контролируются по пункту 3.5.1, для ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства ядра микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессора, микроЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, имеющих арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство с длиной выборки 32 бит¦ ¦ ¦ ¦или более и любые из нижеприведенных ¦ ¦ ¦ ¦особенностей или характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) блок векторного процессора, ¦ ¦ ¦ ¦предназначенный для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦вычислений с векторами для операций с ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦ ¦ ¦или более массивами) одновременно. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Блок векторного процессора является ¦ ¦ ¦ ¦процессорным элементом со встроенными ¦ ¦ ¦ ¦операторами, которые выполняют многочисленные¦ ¦ ¦ ¦вычисления с векторами для операций с ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦ ¦ ¦или более массивами) одновременно, имеющим, ¦ ¦ ¦ ¦по крайней мере, одно векторное арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство; ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанных для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦64-разрядных или более операций с плавающей ¦ ¦ ¦ ¦запятой, проходящих за цикл; или ¦ ¦ ¦ ¦в) разработанных для выполнения более четырех¦ ¦ ¦ ¦16-разрядных операций умножения с накоплением¦ ¦ ¦ ¦с фиксированной запятой, проходящих за цикл ¦ ¦ ¦ ¦(например, цифровая обработка аналоговой ¦ ¦ ¦ ¦информации, которая была предварительно ¦ ¦ ¦ ¦преобразована в цифровую форму, также ¦ ¦ ¦ ¦известная как цифровая обработка сигналов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "в" пункта 3.5.2 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется технология мультимедийных ¦ ¦ ¦ ¦расширений. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По пункту 3.5.2 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦технологии для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦ядер микропроцессоров, имеющих все ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленные признаки: ¦ ¦ ¦ ¦использующие технологии с разрешением 0,130 ¦ ¦ ¦ ¦мкм или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦содержащие многослойные структуры с пятью или¦ ¦ ¦ ¦менее металлическими слоями. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.5.2 включает технологии для ¦ ¦ ¦ ¦процессоров цифровой обработки сигналов и ¦ ¦ ¦ ¦цифровых матричных процессоров ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.3 ¦Прочие технологии для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких как транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦высокой подвижностью транзисторов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами ¦ ¦ ¦ ¦или приборов на сверхрешетках. ¦ ¦  |  |
|
|
|