|
|
|
|
|
|
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28.12.2007 N 15/137 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"(текст документа по состоянию на январь 2010 года. Архив) обновление Стр. 63 ¦ ¦а) долговременную стабильность меньше (лучше)¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦1 x 10 в месяц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.3 ¦Терморегулирующие системы охлаждения ¦8419 89 989 0; ¦ ¦ ¦диспергированной жидкостью, использующие ¦8424 89 000 9; ¦ ¦ ¦оборудование с замкнутым контуром для ¦8479 89 970 9 ¦ ¦ ¦перемещения и регенерации жидкости в ¦ ¦ ¦ ¦герметичной камере, в которой жидкий ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрик распыляется на электронные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты при помощи специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных распыляющих сопел, применяемых ¦ ¦ ¦ ¦для поддержания температуры электронных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов в пределах их рабочего диапазона,¦ ¦ ¦ ¦а также специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2 ¦Испытательное, контрольное и производственное¦ ¦ ¦ ¦оборудование ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1 ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦материалов и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и оснастка для них: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1 ¦Оборудование для эпитаксиального выращивания:¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.1 ¦Оборудование, обеспечивающее производство ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦слоя из любого материала, отличного от ¦ ¦ ¦ ¦кремния, с отклонением равномерности толщины ¦ ¦ ¦ ¦менее +/-2,5% на расстоянии 75 мм или более ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.2 ¦Установки (реакторы) для химического ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦осаждения из паровой фазы металлоорганических¦ ¦ ¦ ¦соединений, специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦выращивания кристаллов полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦соединений с использованием материалов, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в ¦ ¦ ¦ ¦качестве исходных. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении оборудования, указанного в пункте¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.3 ¦Оборудование для молекулярно-эпитаксиального ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦выращивания с использованием газообразных или¦ ¦ ¦ ¦твердых источников ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.2 ¦Оборудование, предназначенное для ионной ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦имплантации, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) ¦ ¦ ¦ ¦более 1 МэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированное и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированное для работы с энергией пучка ¦ ¦ ¦ ¦(ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) имеет возможность непосредственного ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦ ¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока¦ ¦ ¦ ¦пучка 45 мА или более для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации кислорода в ¦ ¦ ¦ ¦нагретую подложку полупроводникового ¦ ¦ ¦ ¦материала ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3 ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦ ¦ ¦ ¦плазменного травления: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦ ¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦ ¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦ ¦ ¦диаметре ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦ ¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦ ¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦ ¦ ¦диаметре ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4 ¦Оборудование химического осаждения из паровой¦8419 89 300 0; ¦ ¦ ¦фазы с применением плазменного разряда, ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦ускоряющего процесс: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦ ¦ ¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в¦ ¦ ¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦ ¦ ¦производителя или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦ ¦ ¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.5 ¦Автоматически загружаемые многокамерные ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦системы с центральной загрузкой ¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦полупроводниковых пластин (подложек), имеющие¦8479 50 000 0; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8486 20 900 2; ¦ ¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин¦8486 20 900 3 ¦ ¦ ¦(подложек), к которым присоединяется более ¦ ¦ ¦ ¦двух единиц оборудования для обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для интегрированной ¦ ¦ ¦ ¦системы последовательной многопозиционной ¦ ¦ ¦ ¦обработки пластин (подложек) в вакууме. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦автоматические робототехнические системы ¦ ¦ ¦ ¦управления загрузкой пластин (подложек), не ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для работы в вакууме ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6 ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.1 ¦Оборудование для обработки пластин с ¦8443 39 290 0 ¦ ¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦ ¦ ¦совмещением и экспозицией (непосредственно на¦ ¦ ¦ ¦пластине) или сканированием (сканер), имеющее¦ ¦ ¦ ¦любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны короче 245 ¦ ¦ ¦ ¦нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным разрешаемым размером элемента 180¦ ¦ ¦ ¦нм и менее. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР)¦ ¦ ¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: МРР = ¦ ¦ ¦ ¦(длина волны источника света в нанометрах) x ¦ ¦ ¦ ¦(К-фактор) / (числовая апертура), где ¦ ¦ ¦ ¦К-фактор = 0,45 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.2 ¦Литографическое оборудование для печати, ¦8443 39; ¦ ¦ ¦способное создавать элементы размером 180 нм ¦8486 20 900 ¦ ¦ ¦или менее. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.6.2 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) инструментальные средства для ¦ ¦ ¦ ¦микроконтактной литографии; ¦ ¦ ¦ ¦б) инструментальные средства для горячего ¦ ¦ ¦ ¦тиснения; ¦ ¦ ¦ ¦в) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для нанопечати; ¦ ¦ ¦ ¦г) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для поэтапной и мгновенной печати ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.3 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦изготовления шаблонов или производства ¦8486 20 900 3; ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦8486 40 000 1 ¦ ¦ ¦методов непосредственного формирования ¦ ¦ ¦ ¦рисунка, имеющее все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) использующее отклоняемый сфокусированный ¦ ¦ ¦ ¦электронный, ионный или лазерный пучок; и ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦размер пятна менее 0,2 мкм; возможность ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка с размером элементов ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мкм; или точность совмещения слоев ¦ ¦ ¦ ¦лучше +/-0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.7 ¦Маски и промежуточные шаблоны, разработанные ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦для производства интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.8 ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем. ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.1.8 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для изготовления запоминающих ¦ ¦ ¦ ¦устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.9 ¦Литографические шаблоны для печати, ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦ ¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов, и специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦этого компоненты и приспособления: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2.1 ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦9031 80 380 0 ¦ ¦ ¦приборов на частотах выше 31,8 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2.2 ¦Для испытания микроволновых интегральных ¦9030; ¦ ¦ ¦схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 ¦9031 20 000 0; ¦ ¦ ¦ ¦9031 80 380 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3 ¦Материалы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1 ¦Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), ¦ ¦ ¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦ ¦ ¦последовательно наращенными эпитаксиальными ¦ ¦ ¦ ¦слоями любого из следующих материалов: ¦ ¦  |  |
|
|
|